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理研計器|半導(dǎo)體工藝全流程之外延生長
發(fā)布時間:2023-06-14
每個半導(dǎo)體產(chǎn)品的制造都需要數(shù)百個工藝,我們將整個制造過程分為八個步驟:晶圓加工-氧化-光刻-刻蝕-薄膜沉積-外延生長-擴(kuò)散-離子注入。
為幫助大家了解和認(rèn)識半導(dǎo)體及相關(guān)工藝,我們將每期推送微信文章,為大家逐一介紹上述每個步驟。
如今隨著半導(dǎo)體技術(shù)的不斷發(fā)展,器件速度越來越快,存儲容量越來越大,半導(dǎo)體工藝中的關(guān)鍵尺寸也在不斷縮小,這也帶來了對光刻對準(zhǔn)越來越高的要求,比如像以前 0.35微米的產(chǎn)品如果光刻對偏的 0.01微米,不會有太大的影響,但如果是0.13 微米甚至更精密的產(chǎn)品0.01微米的偏差已經(jīng)會讓整個產(chǎn)品完全失效。
在這種背景下,外延生長作為一個必然會帶來圖形漂移的工藝,必須想辦法把漂移量穩(wěn)定控制在可接受的范圍內(nèi),才能保證產(chǎn)品的穩(wěn)定,才不會影響后面的工藝。
今天,我們就帶大家了解一下半導(dǎo)體的“外延生長”工藝。